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课程四: InP光子学设计和制造(已结束)
时间:9月7日-8日
地点:深圳国际会展中心·媒体中心B
语言:中文
合作主办
中国国际光电博览会
本课程系统介绍InP材料常用体系,特性,生长,表征,和器件制造技术和装备,然后按照激光器,探测器,调制器和光子集成器件类别分别介绍已经在通讯,数据,传感和计算等领域中应用的各种典型器件结构,分析在设计,制造,表征,和后续应用中的不同特点,优缺点。最后介绍半导体激光器国内外现状,趋势,以及面临的挑战和瓶颈。
讲堂大纲: 1 材料,外延和关键制造工艺 2 发射器设备 (FP,DFB,DBR,VCSEL,HCSEL,EML, EEL,可调谐激光器等) 3 探测器 (PIN,APD等) 4 调制器 (MZM) 5 光子集成电路(PIC)

大会议程

课程四: InP光子学设计和制造(已结束)
时间演讲题目演讲嘉宾
*具体议程以现场为准

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