光刻技术是一种图像复制技术，通过将掩模上的大规模集成电路器件的结构图形画在涂有光刻胶的硅片上，实现图案的传递。成品所能获得的最小尺寸与光刻系统能获得的分辨率直接相关，而减小照射光源的波长是提高分辨率的最有效途径。因此，开发新型短波长光源光刻机一直是各个国家的研究热点。除了光源技术的改进，根据光的干涉特性，利用各种波前技术优化工艺参数也是提高分辨率的重要手段。移相掩膜、离轴照明技术、邻近效应校正等技术都是在此背景下取得的突破，可在目前的技术水平上获得更高分辨率的光刻图形。

2024年9月12日上午，“新一代半导体制程工艺技术论坛—光刻与纳米压印技术进展 “将围绕高端光刻机技术、前沿光刻工艺以及先进材料、半导体光学光刻与极紫外光刻技术等话题展开讨论。论坛将邀请集成电路相关企业、光学相关企业、与专家学者，分享他们在光刻技术研发方面的研究进展及前沿展望。